Flash Memory 와 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
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작성일 22-09-30 01:25
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레포트/공학기술
Flash Memory 와 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)에 대한 글입니다.
강유전체 물질이 발견된 후로 기억소자 및 전기적 소자개발에 대한 연구가 계속되어 왔는데 최근 10여년 동안 반도체 기술의 획기적 발전과 특히 박막 성장 기술의 발전으로 강유전체 박막 연구는 전세계적으로 널리 진행되고 있다아 최근 들어 특히 日本 과 미국 기업은 물론이고 국내 기업에서도 강유전체를 이용한 불휘발성 기억소자(Ferroelectric random access memory:FRAM)를 개발하고자 많은 노력을 기울이고 있다아 이미 국내외 기업에서 FRAM소자를 양산할 계획에 있거나 이미 양산하고 있다아 따라서 향후 불휘발성 기억소자, 휴대장치, 및 정보 통신 기기에서 중추적 역할을 담당할 FRAM 소자 개발을 위한 재료 분야 및 소자 구조 분야에서 선점적 연구를 수행하는 것은 국내 반도체 산업의 기술력을 확보하고 선진국과 경쟁력을 갖기 위해서 매우 시급하며 중요한 일이다.
다. 하지만 전원 공급이 끊겨도 강유전체가 가지고 있는 자발분극 特性 때문에 저장된 정보가 지워지지 않는 우수한 정보보존의 特性을 지니고 있다아 따라서 특별히 빠른 정보 입출력을 요하지 않는 연산기나 program을 저장하는 메모리 등 정보의 쓰기는 빈번하지 않으나 저장된 정보의 유지가 중요한 기억장치에 아주 유용하다. 그리고 EEPROM에 비해서는 저전력으로 구동 시킬 수 있으며 정보의 입출력 횟수를 월등히 크게 할 수 있기 때문에 불휘발성 소자를 FRAM으로 대체할 수 있는 가능성도 충분하다. 기존의 반도체 기억소자의 고집적화 및 대용량화에는 한계가 있기 때문에 고유전율 및 불휘발성을 가지는 강유전체 연…(skip)
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FlashMemory와FRAM
Flash Memory 와 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
설명
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순서
가. Flash Memory
1. Flash Memory 의 introduce
2. Flash Memory 의 구조
3. Flash Memory 의 시장present condition
4. Flash Memory 의 응용처
나. FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
1. Ferroelectrics 이란?
2. FRAM의 introduce
3. FRAM의 종류
4. FRAM의 長點
2. FRAM 이란?
FRAM(Ferroelectric random access memory: 강유전체 메모리)는 읽기 쓰기가 모두 가능한 비 휘발성메모리로 휘발성 메모리인 RAM(random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 特性을 다 가지고 있다아 현재까지는 FRAM의 공정 개발 수준이 DRAM에 미치지 못하기 때문에 동작속도는 떨어진다.
